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手电筒日常常识

优化LED强光手电筒芯片发光层能带结构

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设计不同的发光层结构,可以提高LED的光效。务优手电小编介绍目前人们所采用的发光层结构主要有以下两种:


双异质结(DH)


异质结LED相对于同质结LED来说,其P区和N区有带隙不同的半导体组分。在异质结中,宽带隙材料叫势垒层,窄带隙材料叫势阱层。只有一个势垒层和势阱层的结为单异质结(SH),有两个势垒层和一个活性层(即载流子复合发光层)的结叫双异质结。双异质结的两个势垒层对注入的载流子起到限域作用,即通过第一个异质结果面扩散进入活性层的载流子,会被第二个异质结界面阴挡在活性层中,致使目前HBLED能带结构通常都采用双异质结。

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量子阱结构


活性层的变薄能够有效地提高辐射复合效率,并且能减少再吸收。但是,当活性层的厚度可以与晶体中电子的德布罗意波相比拟进,载流子会因为量子限域而发生能谱的改变。这种特殊的结构被称为量子阱(QW)。势阱中的载流子能带不再连续,而是取一系列的分立值。活性层既可以是单层,即单量子阱(SQW);也可以为多层,即多量子阱(MQW)结构。采用量子阱结构的活性层可以更薄,造成对载流子的进一步限域,更有利于效率的提高。已经发现,发光波长为565nm的A1InGap双异质结LED,当活性层厚度在0.15~0.75nm的范围内时,光效最高;超出这个范围时,光效则急剧下降,这是由于活性层太薄,容易引起载流子隧道穿透到活性层之外;如果活性层太厚,载流子复合效率会降低。量子阱结构是目前HBLED广为采用的能带结构之一。


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点击次数:  更新时间:2018-08-18 13:00:31  【打印此页】  【关闭