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手电筒日常常识

LED强光手电筒I-V特性光学特性分析

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表征LED芯片pn结制备性能主要参数。LED的I-V特性具有非线性、整流性质:单向导电性,即务优手电筒外加正偏压表现低接触电阻,反之为高接触电阻。

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LED主要参数与特性


(1) 正向死区:(图oa 或oa′段)a点对于V0 为开启电压,当V<Va,外加电场尚克服不少因载流子扩散而形成势垒电场,此时R很大;开启电压对于不同LED其值不同,GaAs 为1V,红色GaAsP 为1.2V,GaP 为1.8V,GaN 为2.5V。

(2)正向工作区:电流IF 与外加电压呈指数关系:

IF = IS (e qVF/KT –1)

IS为反向饱和电流。V>0 时,V>VF 的正向工作区IF 随VF 指数上升:

IF = IS e qVF/KT

(3)反向死区 :V<0 时pn 结加反偏压V= - VR 时,反向漏电流IR(V= -5V)时,GaP 为0V,GaN 为10uA。 

(4)反向击穿区 V<- VR ,VR 称为反向击穿电压;VR 电压对应IR 为反向漏电流。当反向偏压一直增加使V<- VR 时,则出现IR 突然增加而出现击穿现象。由于所用化合物材料种类不同,各种LED 的反向击穿电压VR 也不同。


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点击次数:  更新时间:2018-08-14 13:00:44  【打印此页】  【关闭